薄化・バックグラインドとは？――ウェハを裏面から薄くする理由

Back Grinding、Temporary Support、薄ウェハの反り・割れ、3D実装との関係を解説する。

客観的事実この記事のタイプ：事実・解説

公開 2026/9/1 確認 2026/9/1 読了 8分中級執筆: 知識図書館編集部

まず結論

Back Grindingは、完成したWaferの裏面を研削し、製品に必要な厚さまで薄くする工程です。

薄化によりPackageを薄くでき、3D積層では接続距離を短くできます。一方、薄くなるほどWaferは壊れやすくなります。

前工程ではWafer自身に機械的強度が必要です。搬送、Chuck、熱処理など多数工程を通すため、最初から極薄にすると破損・反りが増えます。

そこで前工程終了後に裏面から薄くします。

粗研削で大きく除去し、Fine GrindingでDamageを抑えます。必要に応じてPolishing、Etching等でGrinding Damageを除去します。

Temporary TapeやCarrierで支持する場合があります。

TSVを裏面から露出させる工程では高精度なThinningが重要です。厚さばらつきがVia Revealや後工程へ直結します。